热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响
来源期刊：材料导报2008年增刊第3期
论文作者：蒋洪川 雷云 向阳 张万里 莫绍毅 王超杰
关键词：TaN薄膜; 退火; 微结构; 方阻;
摘 要：采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响.结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻.随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大.退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2X10-3,薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0x10-4.
蒋洪川1，雷云1，向阳1，张万里1，莫绍毅1，王超杰1
(1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)
摘要:采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响.结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻.随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大.退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2X10-3,薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0x10-4.
关键词:TaN薄膜; 退火; 微结构; 方阻;
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