稀有金属 2015,39(10),908-915 DOI:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.10.008

水溶性CdTe∶Zn量子点的合成和表面修饰

韩鑫 张纪梅 张坤 王曈尧

摘 要：

通过高压反应釜辅助水相法快速且低成本地合成了荧光量子产率高、粒径均匀、纯度高以及光稳定良好的掺杂Zn的CdTe量子点,不仅降低了CdTe量子点的毒性,而且减少了对环境的污染。并且通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外分光光度计和荧光分光光度计对产物进行了表征。同时通过单因素实验,在制备过程中对CdTe∶Zn量子点的合成条件(包括pH、反应温度、反应物中Cd与Te,Cd与Zn的比例和配体巯基丙酸(MPA)含量等)进行优化得到了最佳的合成条件,即摩尔比Cd∶Te∶MPA=1.0∶0.5∶2.4,摩尔比Cd∶Zn=1.0∶1.0,pH=11和T=120℃,通过优化CdTe∶Zn量子点的合成条件不仅提高了纳米晶的质量,而且大幅度缩短了制备量子点的周期,且通过与CdTe量子点的比较得出掺杂Zn后量子点的生长速度和荧光强度均会提高。最后,采用外延生长法,在CdTe∶Zn核的表面包裹一层有更宽带隙的半导体材料ZnS,消除了量子点表面的悬空键及表面缺陷,并且对CdTe∶Zn/ZnS量子点进行了紫外和荧光表征,通过与CdTe∶Zn量子点的比较得出ZnS的加入进一步提高了量子点的荧光强度和光稳定性。

关键词：

CdTe∶Zn量子点;CdTe∶Zn/ZnS量子点;水热合成法;

中图分类号： TQ422

作者简介：韩鑫(1988-),女,山西太原人,硕士研究生,研究方向:量子点的制备与应用;E-mail:hanxin426946@163.com;;张纪梅,教授;电话:022-83955167;E-mail:zhangjimei6d311@163.com;

收稿日期：2014-04-03

基金：国家自然科学基金项目(21106101);天津市应用基础及前沿技术研究计划项目(12JCZDJC29500);天津市青年基金项目(13JCQNJC06300)资助;

Synthesis and Modification of Water-Soluble CdTe∶ Zn Quantum Dots

Han Xin Zhang Jimei Zhang Kun Wang Tongyao

School of Environment and Chemical Engineering,Tianjin Polytechnic University

Abstract：

The Zn-doped CdTe quantum dots( CdTe∶ Zn quantum dots) with high fluorescence quantum yield,uniform particles distribution,high purity and good photostability were rapidly and low-costly prepared by autoclave-assisted aqueous phase synthesis. The CdTe∶ Zn quantum dots had less toxicity than CdTe quantum dots,which was environmentally beneficial. The quantum dots were characterized by transmission electron microscopy( TEM),X-ray diffraction( XRD),fluorescence and ultraviolet( UV) spectrophotometer. Besides,the most effective synthetic conditions for the preparation of CdTe∶ Zn quantum dots were obtained by optimizing the synthetic conditions including p H,reaction temperature,the ratios of Cd∶ Te and Cd∶ Zn,and the concentration of MPA through single factor experiment. The optimal synthesis conditions were Cd∶ Te∶ MPA = 1. 0∶ 0. 5∶ 2. 4( mole ratio),Cd∶ Zn = 1. 0∶ 1. 0( mole ratio),p H= 11 and T = 120 ℃. Optimizing the synthetic conditions of the CdTe∶ Zn quantum dots not only improved the quality of nanocrystals,but also significantly shortened the cycle time of the preparation of quantum dots. At the same time,compared with the CdTe quantum dots,the CdTe∶ Zn quantum dots displayed better growth rate and stronger fluorescence intensity. Meanwhile,CdTe∶ Zn was wrapped by Zn S semiconductor material with wider band gap through epitaxial growth method,removing dangling bond and surface defects. The CdTe∶ Zn / ZnS QDs were described by UV and fluorescence spectrophotometer,and showed better photostability and stronger fluorescence intensity compared with CdTe∶ Zn quantum dots.

Keyword：

CdTe∶ Zn quantum dots; CdTe∶ Zn/ZnS quantum dots; hydrothermal synthesis method;

Received： 2014-04-03

近年来,由于纳米科学和纳米技术的发展,化学发光领域的研究从传统的分子体系拓展到了纳米体系。特别地,半导体量子点由于具有独特的光学性能,在纳米化学发光体系中占有独特的地位。量子点( quantum dots) ,也被称为半导体纳米晶体 ( semiconductor nanocrystals) ,是一类具有优异荧光性能的纳米材料^[1]。合成量子点的方法有许多种, 比如有机金属法、水相合成法、气液相沉淀法和微乳液合成法等。其中水相合成法由于可以快速、低成本制备出生物相容的量子点成为当前研究热点^[2]。此外,与传统的有机荧光染料相比,量子点具有激发光谱宽、发射光谱窄而对称、发射波长可调、光化学稳定性好等优点。这些优点使得量子点在生物、化学领域中有着广阔的应用前景^[3]。

特别地,量子点荧光探针由于具有高的灵敏度,在DNA识别^[4]、环境监测^[5]、生物成像^[6]、以及有机化合物检测和定量分析^[7]等方面发挥了巨大的作用^[8,9,10,11]。

然而,量子点荧光探针在阴离子检测方面的应用还很不成熟。并且,量子点的合成成本高、操作复杂、毒性较大、生物相容性差等也严重地限制了其在生命科学方面的应用。因而探索低毒,荧光量子产率高、光稳定性好、生物相容性强的量子点合成方法以及量子点荧光探针在阴离子检测中的应用已近成为当前最为活跃的研究领域之一。

本文通过水热法合成了高荧光量子产率和光稳定性掺杂Zn的Cd Te量子点,降低了单纯Cd Te量子点的毒性,减少了对环境的污染。

1实验

1.1NaHTe的制备

在25 ml茄形瓶中加入284. 6 mg Na BH₄和10 ml二次水,氮气保护下搅拌30 min,向其中迅速加入320 mg碲粉,整个体系在4 ℃ 下反应8 h, 反应完毕后,用移液器将上层透明Na HTe液体移入小瓶中,密封,备用。

1.2CdTe∶Zn纳米晶的合成

在三颈烧瓶中加入114. 2 mg Cd Cl₂·2. 5H₂O, 68. 15 mg Zn Cl₂和100 ml二次水,然后再加入104. 5 μl巯基丙酸,用1 mol·L^{- 1}Na OH溶液调节溶液p H = 11,接着,用二次水调节溶液总体积至120 ml,通氮气除 去反应装 置中的氧 气。搅拌30 min后,迅速向其中加入0. 4 ml 0. 25 mol·L^{- 1}的Na HTe溶液。最后,向25 ml高压反应釜中加入15 ml上述混合溶液,放入120 ℃ 的恒温箱中,通过控制反应条件,获得不同波长的量子点。

1. 3 Cd Te∶ Zn / Zn S核壳结构量子点的制备

将上述步骤中合成的Cd Te∶ Zn量子点溶液与乙醇和异丙 醇混合,然后将混 合溶液在12000 r·min^{- 1}下高速离心,20 min后得到Cd Te∶ Zn量子点沉淀,接着将其溶解于一定量的二次水中备用。

准确称取14. 3 mg Zn Cl₂溶于20 ml二次水中, 在磁力搅拌的条件下加入0. 0367 ml巯基丙酸 ( MPA) ,用1 mol·L^{- 1}Na OH溶液调节溶液p H值为11,接着用二次水调节溶液体积至25 ml,然后用氮气除去溶液中的氧气,30 min后,向其中加入5 ml上述处理后的Cd Te∶ Zn量子点,继续用氮气除氧10 min。然后在100 ℃ 下,搅拌,加热回流, 从而制备得到Cd Te∶ Zn /Zn S核壳型量子点。

2结果与讨论

2.1CdTe∶Zn量子点的形貌表征

图1是反应2 h的Cd Te∶ Zn量子点TEM图, 从图1中可看出,Cd Te∶ Zn量子点颗粒呈圆形,分布比较均匀,粒径大约为4 nm。

2.2CdTe∶Zn量子点的结构表征

图2是反应2 h的Cd Te∶ Zn量子点XRD谱图。 图2中在2θ 值等于24. 5°,40. 5°,47. 7°处显示了3个衍射峰,对应Cd Te量子点立方晶系的3个晶面,即( 111) ,( 220) ,( 311) 。同时其峰位向Cd S的晶相稍有偏移,说明在Cd Te∶ Zn量子点反应的过程中,有部分的巯基丙酸中的S原子与Cd离子发生了配位作用。

2.3反应时间对CdTe∶Zn量子点荧光性能的影响

从图3可以看出,随着反应时间的不断延长,Cd Te∶ Zn量子点的紫外吸收光谱和荧光发射光谱 ( 激发波长: 400 nm) 均发生红移,吸收峰位从515 nm红移到614 nm,发射光谱的峰位从550 nm增至688 nm,这种现象说明量子点的粒径随生长时间的延长而逐渐增大,表现出明显的量子尺寸效应。

图1 Cd Te∶ Zn 量子点的 TEM 照片 Fig.1 TEM image of Cd Te∶ Zn quantum dots

图2 Cd Te∶ Zn 量子点的 XRD 图 Fig.2 XRD pattern of Cd Te∶ Zn quantum dots

图3Cd Te∶ Zn 量子点的荧光发射谱图和紫外可见吸收 Fig.3 Fluorescence emission spectra ( a) and UV-visible absorption spectra ( b) of Cd Te∶ Zn quantum dots

实验中通过控制反应时间,得到不同粒径的纳米晶。图4是不同反应时间下合成的Cd Te∶ Zn量子点,在紫外灯 下,随着反应 时间的增 加, Cd Te∶ Zn量子点颜色由绿色变黄再变红,呈现出不同的荧光颜色。

2.4镉与锌比例对CdTe∶Zn量子点荧光性能的影响

图5是在Cd∶ Te∶ MPA = 1. 0∶ 0. 2∶ 2. 4( 摩尔比) ,p H = 11,T = 120 ℃,[Cd]= 5. 0 mmol·L^{- 1}条件下设定不同镉锌比( 摩尔比) 合成的Cd Te∶ Zn量子点荧光强度随生长时间的变化趋势图。

从图5可看出,一开始随着Zn比例的增加, Cd Te∶ Zn量子点的荧光强度增强,但是当镉锌比达到1∶ 1后,随着Zn比例的增加,Cd Te∶ Zn量子点的荧光强度将会减弱。结果表明: 低量的锌可大大提高量子点的荧光性能,同时也说明了锌的加入量直接影响着所合成的量子点的质量。Zhao等^[12]提出量子点的表面可能存在氧化的碲表面活性位, 可能导致非辐射结合的途径,即荧光( PL) 淬灭。 因此,通过加入锌离子可以改善表面缺陷,从而使得其荧光效率和稳定性增强。量子点光学性能得到优化的另一原因可能是低摩尔数锌的掺入可降低量子点中镉空位缺陷。但是,也可看出,过多的锌并不能进一步改善量子点的光学性能。这可能是因为过多的锌会增加Cd Te∶ Zn量子点本身结构的内在缺陷^[13]。

图4 不同反应时间下的 Cd Te∶ Zn 纳米晶 Fig.4 Cd Te∶ Zn nanocrystals with different reaction time

图5 不同镉锌比时 Cd Te∶ Zn 量子点荧光强度随生长时间 Fig.5Fluorescence emission spectra of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different ratios of cadmium and zinc

2.5镉与碲比例对CdTe∶Zn量子点荧光性能的影响

图6是在Cd∶ MPA = 1. 0∶ 2. 4,Cd∶ Zn = 1∶ 1, p H = 11,T = 120 ℃,[Cd]= 5. 0 mmol·L^{- 1},反应时间为2 h条件下设定不同镉碲比合成的Cd Te∶ Zn量子点的荧光发射谱图( 激发波长: 400 nm) ,表1为不同镉碲比合成的Cd Te∶ Zn量子点的荧光性能参数。

由图6和表1可知,镉碲比强烈地影响着掺锌碲化镉纳米晶的尺寸生长。随着镉碲比的增大, Cd Te∶ Zn量子点的荧光发射光谱逐渐红移。另外, 不同的镉碲比与荧光半峰宽有一个类似的趋势, 随着量子点尺寸增长的进行,半峰宽稳步增长。但是随着镉碲比的增大,Cd Te∶ Zn量子点的荧光( PL)强度有先增大后减小的趋势,在合成过程中,考虑到量子点的均一性和稳定性,通常镉碲比设定在2∶ 1 ~ 5∶ 1之间,从文献[14]可知,在水相中制备Cd Te量子点时,镉碲比通常设定在2∶ 1 ~ 5 ∶ 1之间,这表明实验结果与文献中提到的常用镉碲比相符合,实验结果的准确性也得到了验证。

图6 不同镉碲比合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光发射谱图 Fig.6Fluorescence emission spectra of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different ratios of cadmium and telluride

表1 不同镉碲比合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光性能参数 ( 反应 2 h) Table 1Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different ratios of cadmium and telluride ( reaction for 2 h)  下载原图

表1 不同镉碲比合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光性能参数 ( 反应 2 h) Table 1Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different ratios of cadmium and telluride ( reaction for 2 h)

2.6配体MPA与镉比例对CdTe∶Zn量子点荧光性能的影响

图7是在Cd∶ Te = 1. 0 ∶ 0. 5,Cd∶ Zn = 1 ∶ 1, p H = 11,T = 120 ℃,[Cd]= 5. 0 mmol·L^{- 1},反应时间为2 h条件下设定不同MPA与镉比例合成的Cd Te∶ Zn量子点的荧光发射谱图 ( 激发波长: 400 nm) ,表2为不同MPA与镉比例合成的Cd Te ∶ Zn量子点的荧光性能参数。

结合图7和表2可知,随着MPA与Cd的比例的降低,Cd Te∶ Zn量子点的生长速度逐渐增加。虽然配体浓度较高时通常会导致所制备的Cd Te∶ Zn量子点有更高的稳定性^[15],但是考虑到其荧光强度, 所以在实验中MPA与镉的比例通常选择2. 4 ∶ 1. 0。

图7 不同 MPA 与 Cd 比例合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光 Fig.7Fluorescence emission spectra of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different ratios of MPA and Cd

表2 不同 MPA 与 Cd 比例合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧( 反应 2 h) Table 2Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different ratios of MPA and Cd  下载原图

表2 不同 MPA 与 Cd 比例合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧( 反应 2 h) Table 2Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different ratios of MPA and Cd

2.7pH值对CdTe∶Zn量子点荧光性能的影响

图8是在Cd∶ Te∶ MPA =1. 0∶ 0. 5∶ 2. 4,Cd∶ Zn = 1∶ 1,T = 120 ℃,[Cd]= 5. 0 mmol·L^{- 1},反应时间为2 h条件下设定不同p H值下合成的Cd Te∶ Zn量子点的荧光发射谱图( 激发波长: 400 nm) ,表3为不同p H值下合成的Cd Te∶ Zn量子点的荧光性能参数。

虽然在很多相关合成量子点的文献中经常采用高的p H值,但图8和表3结果表明,当镉碲比固定为2∶ 1时,Cd Te∶ Zn量子点的生长在p H值为9. 0,11. 0,或12. 0下几乎具有相同的生长速度, 高p H值在加速Cd Te∶ Zn纳米晶增长率时并无明显影响。考虑到Cd Te∶ Zn纳米晶的荧光性能,本文的合成条件选择p H = 11。

2.8反应温度对CdTe∶Zn量子点荧光性能的影响

图9是在Cd∶ Te∶ MPA =1. 0∶ 0. 5∶ 2. 4,Cd∶ Zn = 1∶ 1,p H = 11,[Cd]= 5. 0 mmol·L^{- 1},反应时间为2 h条件下设定不同反应温度下合成的Cd Te∶ Zn量子点的荧光发射谱图( 激发波长: 400 nm) ,表4为不同反应温度下合成的Cd Te∶ Zn量子点的荧光性能参数。

图8不同 p H 值下合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光发射 Fig.8Fluorescence emission spectra of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different p H values

表3 不同 p H 值下合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光性能参( 反应 2 h) Table 3Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different p H values  下载原图

表3 不同 p H 值下合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光性能参( 反应 2 h) Table 3Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different p H values

图9 不同温度下合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光发射谱图 Fig.9Fluorescence emission spectra of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different temperatures

表4 不同温度下合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光性能参数 ( 反应 2 h) Table 4Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different temperatures  下载原图

表4 不同温度下合成的 Cd Te∶ Zn 量子点的荧光性能参数 ( 反应 2 h) Table 4Fluorescence parameters of Cd Te ∶ Zn quantum dots with different temperatures

实验结果表明( 见图9和表4) : 在T = 100 ~ 140 ℃ 时,随着温度的升高,Cd Te∶ Zn量子点的增长速度显著增加,但是Cd Te∶ Zn量子点的半峰宽逐渐变宽,也就是其均一性降低了。而当T = 160 ℃ 时,由于高温导致稳定剂巯基丙酸分解了,在同样条件下合成的物质并无荧光,反应结束后反应釜中的物质分为两层,上层是澄清液,下层是墨绿色的沉淀。综合考虑Cd Te∶ Zn量子点的荧光性能, 合成过程中选择反应温度T = 120 ℃。

2.9CdTe∶Zn量子点和CdTe量子点光学性能的比较

图10是在Cd∶ Te∶ MPA = 1. 0∶ 0. 5∶ 2. 4,p H = 11,T = 120 ℃,[Cd]= 5. 0 mmol·L^{- 1}条件下Cd Te ∶ Zn量子点( Cd∶ Zn = 1∶ 1) 和Cd Te量子点的荧光发射谱图( 激发波长: 400 nm) ,图11是Cd Te∶ Zn量子点和Cd Te量子点的峰位与荧光强度和时间的关系图。

图10 Cd Te∶ Zn 量子点和 Cd Te 量子点的荧光发射谱图 Fig.10 Fluorescence emission spectra of Cd Te∶ Zn ( a) and Cd Te ( b) quantum dots

图11 Cd Te∶ Zn 量子点和 Cd Te 量子点的峰位与荧光强度图 Fig.11 Fluorescence emission spectra and peak position of Cd Te∶ Zn and Cd Te quantum dots

( a) Relationship between growth time and fluorescence intensity; ( b) Relationship between peak position and growth time

从图10和11可知,在Cd Te量子点中掺入Zn后,量子点的荧光强度增强了,此外,在相同反应时间( 2. 5 ~ 4. 0 h) 内,Cd Te∶ Zn量子点的粒径相比Cd Te量子点有所增大,也就说明了掺入锌后加快了量子点的生长速度。

2.10稀释比例对量子点荧光强度的影响

在实际测量中,由于合成比例的影响,量子点的荧光强度有一个稀释增强的趋势,本文通过对量子点在二次水作为稀释剂的条件下进行不同倍数的稀释从而研究稀释比例与量子点荧光强度之间的关系( 激发波长: 400 nm) ,见图12。

从图12可知: 在二次水作为稀释剂的条件下, 量子点随着稀释倍数的增加,荧光强度先增强后减弱,存在一个最佳的稀释比例( 1 ~ 2倍) ,因此, 根据实际需要可以将量子点稀释一定倍数,从而得到理想荧光强度的量子点。

2.11CdTe∶Zn/ZnSQDs的紫外吸收表征和荧光发射表征

核壳结构的量子点由于Zn S壳在Cd Te∶ Zn核表面发生外延生长以致其颗粒尺寸增大,核内产生了部分离域电子,使得光谱发生了红移,图13 ( a) 为核壳量子点的紫外光谱图,从图13可知: 相对于Cd Te∶ Zn量子点,Cd Te∶ Zn /Zn S量子点吸收峰的半峰宽变大了,而且其吸收峰位从547 nm增至574 nm,发生了红移。这表明包裹Zn S外壳后, 粒子的直径显著增加了,也说明了量子点成功地包裹上了Zn S壳层。此外,在图13( a) 中并没有出现Zn S纳米团簇的特征吸收峰,这不仅说明了Cd Te∶ Zn核的表面得到了修饰,还表明了Zn S在Cd Te∶ Zn核表面外延生长,而没有脱离Cd Te∶ Zn核单独形成Zn S纳米团簇,从而说明了Cd Te∶ Zn /Zn S核壳量子点的形成。

图12 不同稀释倍数下量子点的荧光光谱图和不同稀释倍数与量子点荧光强度的关系曲线图 Fig.12 Fluorescence spectra of quantum dots with different dilution times ( a) and relationship between different dilution times and fluorescence intensity ( b)

图13 Cd Te∶ Zn/Zn S 量子点和 Cd Te∶ Zn 量子点的紫外吸收谱图和和荧光发射光谱图 Fig.13 Fluorescence emission spectra ( a) and UV-visible absorption spectra ( b) of Cd Te∶ Zn / Zn S quantum dots and Cd Te∶ Zn quantum dots

图13( b) 为Cd Te∶ Zn /Zn S量子点和Cd Te∶ Zn量子点的荧光光谱图( 激发波长: 400 nm) ,从图13( b) 可以看出Cd Te ∶ Zn纳米微粒的最大荧光发射峰位于599 nm,相对荧光强度约为1867 a. u. , 而Cd Te∶ Zn /Zn S纳米微粒的最大荧光发射峰位于620 nm,相对荧光强度约为2508 a. u. ,发射峰位发生了明显的红移,不仅表明纳米晶的尺寸发生了变化,展现了良好的尺寸效应,而且也进一步说明了Zn S在Cd Te∶ Zn核表面的外延生长。另外, Zn S壳层能有效地消除非辐射驰豫途径,并限制对核的激发和阻止光化学褪色,提高核层Cd Te∶ Zn的荧光量子产率。随着Zn S包裹在Cd Te∶ Zn核外, Cd Te∶ Zn纳米微粒的荧光发射强度明显增强。

2.12反应时间对CdTe∶Zn/ZnS量子点荧光性能的影响

图14是不同时间下的Cd Te∶ Zn /Zn S量子点的荧光发射光谱图( 激发波长: 400 nm) 。从图14可知,在壳层生长1 h的过程中,量子点的荧光强度有逐渐增强的趋势,但随着生长时间的进一步延长,荧光强度随后又逐渐减弱,同时还伴随着光谱的红移。从理论上讲,在壳层生长的过程中,存在着一个临界生长厚度。Cd Te∶ Zn /Zn S核壳纳米粒子在反应过程的初始阶段荧光强度逐渐增强是因为Zn S在Cd Te∶ Zn核表面生长的厚度小于临界生长厚度,界面不产生位错的缺陷,而Zn S壳层又可有效地修补Cd Te∶ Zn核的表面缺陷,使得Cd Te∶ Zn核表面电荷态密度有了很大幅度的降低,从而增强了体系的荧光强度; 可是,当壳层生长厚度大于临界生长厚度后,Cd Te∶ Zn与Zn S界面会产生一个位错的缺陷,使得Cd Te∶ Zn核表面电荷态密度增加,体系荧光强度下降。

图14 不同时间下 Cd Te∶ Zn /Zn S 量子点的荧光发射光谱图 Fig.14 Fluorescence emission spectra of Cd Te∶ Zn / Zn S quantum dots with different time

3结论

通过高压反应釜辅助水相法成功地合成了高荧光量子产率和光稳定性的掺杂Zn的Cd Te量子点,降低了单纯Cd Te量子点的毒性,减少了对环境的污染。通过对合成工艺的优化得到了最佳的合成条件: Cd∶ Te∶ MPA = 1. 0∶ 0. 5∶ 2. 4,Cd∶ Zn = 1∶ 1,p H = 11,T = 120 ℃ 。在最佳条件下,Cd Te∶ Zn量子点具有最好的光学性能。同时,采用外延生长法,在Cd Te∶ Zn核的表面生长一层有更宽带隙的半导体材料Zn S,进一步提高了量子点的光稳定性,为其进一步应用奠定了基础。