GaN沉积的化学反应动力学进展
来源期刊:材料导报2012年第17期
论文作者:于海群
文章页码:21 - 59
关键词:反应路径;MOCVD;动力学;
摘 要:依据文献中的气相反应路径,特别是寄生反应模型和刻蚀反应模型,指出对于存在冷壁面的水平式,加合物的反应路径对沉积起重要作用。在加合物路径中,对薄膜生长起决定作用的是TMGa和TMGa∶NH3,而环状化合物[(CH3)2Ga∶NH2]3形成的可能性很小,可以忽略。对于垂直式反应器,所有的反应物粒子均经过高温边界层区域,遵循热解路径。在高温条件下,对薄膜生长起决定作用的是MMG。纳米粒子的形成需要高温条件,并且纳米粒子的生长遵循CVD机理,可认为气相纳米粒子的主要成分可能是GaN。在高温条件下H2对GaN的刻蚀作用不可忽视。
于海群
摘 要:依据文献中的气相反应路径,特别是寄生反应模型和刻蚀反应模型,指出对于存在冷壁面的水平式,加合物的反应路径对沉积起重要作用。在加合物路径中,对薄膜生长起决定作用的是TMGa和TMGa∶NH3,而环状化合物[(CH3)2Ga∶NH2]3形成的可能性很小,可以忽略。对于垂直式反应器,所有的反应物粒子均经过高温边界层区域,遵循热解路径。在高温条件下,对薄膜生长起决定作用的是MMG。纳米粒子的形成需要高温条件,并且纳米粒子的生长遵循CVD机理,可认为气相纳米粒子的主要成分可能是GaN。在高温条件下H2对GaN的刻蚀作用不可忽视。
关键词:反应路径;MOCVD;动力学;