基于自组装技术的单晶硅表面镀铜工艺

来源期刊：材料科学与工程学报2017年第5期

论文作者：党沛琳 唐田田 赵倩 王芳

文章页码：780 - 1619

关键词：有机硅烷;自组装;电镀铜;循环伏安;

摘    要：本研究在单晶硅基底表面自组装制备了3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）自组装薄膜,并在此基础上进行化学镀和电镀研究,最终得到了致密均匀的铜膜,镀层与单晶硅基底通过配位键连接,粘结力强。利用循环伏安（CV）法探索得到了最佳电镀工艺参数为:电流密度1.56A/dm2,电镀时间600s。借助接触角测试仪测定了不同试样表面的润湿性,通过X射线能谱仪（EDX）、扫描电子显微镜（SEM）对镀层的元素含量和表面形貌进行了表征。获得的铜镀层致密均匀并呈现金属光泽。