简介概要

过渡金属掺杂SnO2超晶格磁学和光学性质的研究

来源期刊:功能材料2014年第3期

论文作者:王喆 冯现徉 王培吉

文章页码:3070 - 3074

关键词:超晶格;第一性原理;态密度;光学性质;

摘    要:基于密度泛函理论的第一性原理,采用全势线性缀加平面波方法 (FPLAPW)和广义梯度近似(GGA)来处理相关能,计算了n层过渡金属Cr掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质(n=1,2,3)。结果表明,掺杂使材料均表现出了半金属性,并且导电性和磁矩随着n的增大而增强。掺杂后材料磁矩主要来源于Cr3d态,Cr的加入使O的态密度产生了自旋极化现象。在0~1.8eV处掺杂所形成的第一吸收峰的位置随着n的增加而向高能方向推移,在1.8~7.0eV处所形成峰的峰值随着n的增大而增加,在7.0~17.0eV处所形成的峰的峰值随着n的增大而减小。

详情信息展示

过渡金属掺杂SnO2超晶格磁学和光学性质的研究

王喆,冯现徉,王培吉

济南大学物理学院

摘 要:基于密度泛函理论的第一性原理,采用全势线性缀加平面波方法 (FPLAPW)和广义梯度近似(GGA)来处理相关能,计算了n层过渡金属Cr掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质(n=1,2,3)。结果表明,掺杂使材料均表现出了半金属性,并且导电性和磁矩随着n的增大而增强。掺杂后材料磁矩主要来源于Cr3d态,Cr的加入使O的态密度产生了自旋极化现象。在0~1.8eV处掺杂所形成的第一吸收峰的位置随着n的增加而向高能方向推移,在1.8~7.0eV处所形成峰的峰值随着n的增大而增加,在7.0~17.0eV处所形成的峰的峰值随着n的增大而减小。

关键词:超晶格;第一性原理;态密度;光学性质;

<上一页 1 下一页 >

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号