一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器
来源期刊：材料科学与工程学报2017年第4期
论文作者：李久朋 马德伟 曹鸿涛 竺立强 李俊 李康 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞
文章页码：592 - 595
关键词：忆阻器;ZnO纳米线;一步掩膜法;电致阻变;
摘 要：本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。
李久朋1,2，马德伟1，曹鸿涛2，竺立强2，李俊2，李康2，梁凌燕2，张洪亮2，高俊华2，诸葛飞2
1. 浙江工业大学理学院2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘 要：本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。
关键词：忆阻器;ZnO纳米线;一步掩膜法;电致阻变;
