镉离子印迹硅胶材料的制备、表征及其吸附性能研究
来源期刊:功能材料2013年第6期
论文作者:郭萌萌 章东升 范雪蕾 阎峰
文章页码:800 - 804
关键词:镉;二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷;离子印迹;
摘 要:采用表面接枝印迹技术,以Cd2+作为模板离子,二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷为功能分子,硅胶为支撑物,环氧氯丙烷为交联剂,在硅胶表面制备了一种新型的Cd2+离子印迹硅胶材料,并利用平衡吸附法研究了印迹材料的吸附性能和选择识别能力。结果表明,最大吸附量为30.8mg/g,20min即可达到吸附平衡;当pH值在4~8范围内,印迹材料保持了较好的吸附容量;印迹材料对Cd2+离子具有较强的选择性识别能力,重复使用性能稳定。
郭萌萌,章东升,范雪蕾,阎峰
沈阳化工大学应用化学学院
摘 要:采用表面接枝印迹技术,以Cd2+作为模板离子,二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷为功能分子,硅胶为支撑物,环氧氯丙烷为交联剂,在硅胶表面制备了一种新型的Cd2+离子印迹硅胶材料,并利用平衡吸附法研究了印迹材料的吸附性能和选择识别能力。结果表明,最大吸附量为30.8mg/g,20min即可达到吸附平衡;当pH值在4~8范围内,印迹材料保持了较好的吸附容量;印迹材料对Cd2+离子具有较强的选择性识别能力,重复使用性能稳定。
关键词:镉;二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷;离子印迹;