铝化学机械抛光中1,2,4-三唑和苯并三氮唑的缓蚀机制

来源期刊：材料保护2019年第5期

论文作者：刘萍 王永光 赵永武 朱玉广

文章页码：6 - 11

关键词：低压力;化学机械抛光;1,2,4-三唑;摩擦磨损;化学反应活化能;

摘    要：揭示铝低压力化学机械抛光（CMP）中的弱缓蚀机制是铝CMP研究的关键问题。采用CMP试验,研究了1,2,4-三唑（TAZ）和苯并三氮唑（BTA）对铝表面去除率的影响规律;通过接触角和表面原子力显微镜（AFM）试验,分析了TAZ和BTA薄膜在铝表面的亲水性能,发现由TAZ作用形成的缓蚀薄膜比由BTA形成的缓蚀薄膜更厚,更易渗透与去除。结合摩擦磨损试验和Arrhenius公式,探讨了TAZ和BTA在CMP过程中对铝表面化学反应活化能的影响。结果显示:TAZ的活化能小于BTA,更容易形成弱缓蚀薄膜,机械促进化学作用的效果更明显。