氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：李全军 盖同祥 李英爱 赵永年 顾广瑞 金逢锡
关键词：氮化硼薄膜; 场发射; 氢等离子体; 氧等离子体;
摘 要：利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.
李全军1，盖同祥1，李英爱2，赵永年2，顾广瑞1，金逢锡1
(1.延边大学,理工学院物理系,吉林,延吉,133002;
2.吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012)
摘要:利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.
关键词:氮化硼薄膜; 场发射; 氢等离子体; 氧等离子体;
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