简介概要

纳米器件阈值电压提取方法

来源期刊：功能材料与器件学报2014年第1期

论文作者：杨慧郭宇锋洪洋

文章页码：80 - 88

关键词：阈值电压提取;FinFET;Junctionless Transistor;

摘要：阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用。本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提取方法,分别利用它们提取了FinFET和JLT不同沟道长度的阈值电压,讨论了这些方法在提取两种现代MOS器件阈值电压时的有效性和局限性。

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杨慧^1,2，郭宇锋^1,2，洪洋^1,2

2. 南京邮电大学电子科学与工程学院

关键词：阈值电压提取;FinFET;Junctionless Transistor;