熔融硅液相浸渍法制备C/C-SiC复合材料
来源期刊：材料研究学报2007年第2期
论文作者：汤素芳 邓景屹 王道岭 刘文川
关键词：复合材料; 熔融硅; 液相浸渍; C/C-SiC复合材料; 抗氧化;
摘 要：采用熔融硅液相浸渍法制备了C/C-SiC复合材料,反应生成的SiC主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔.1600℃渗硅2 h,硅化深度约为2～4 μm.由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的SiC层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续SiC层和SiC粗晶粒形成机理.由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善.
汤素芳1，邓景屹1，王道岭1，刘文川1
(1.中国科学院金属研究所,沈阳,110016)
摘要:采用熔融硅液相浸渍法制备了C/C-SiC复合材料,反应生成的SiC主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔.1600℃渗硅2 h,硅化深度约为2～4 μm.由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的SiC层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续SiC层和SiC粗晶粒形成机理.由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善.
关键词:复合材料; 熔融硅; 液相浸渍; C/C-SiC复合材料; 抗氧化;
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