Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长

来源期刊：功能材料2011年第3期

论文作者：颜怀跃 修向前 华雪梅 刘战辉 周安 张荣 谢自力 韩平 施毅 郑有炓

文章页码：509 - 1026

关键词：氢化物气相外延;HVPE;Si;GaN;

摘    要：在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质。分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现。AlN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长。