量子点2D-3D完整生长过程的Monte Carlo模拟
来源期刊：功能材料2006年第10期
论文作者：江建军 褚海波 胡义祥 陈曦 付非亚 刘牛 杨康 詹静
关键词：分子束外延; 量子点自组织生长; 蒙特卡罗方法;
摘 要：利用蒙特卡罗模拟方法对GaAs衬底上MBE法自组织生长InAs量子点的过程进行了研究,完成了量子点二维到三维生长完整过程的模拟.充分考虑应力应变的影响因素,首次使用指数函数形式的应力应变模型,使模拟结果更加可靠.通过改变衬底温度, 生长停顿时间,得到了不同条件下量子点生长的计算机模拟图形并对结果进行了讨论.结果发现,适中的温度和较充分的迁移时间有助于生长出高质量的量子点.
江建军1，褚海波1，胡义祥1，陈曦1，付非亚1，刘牛1，杨康1，詹静1
(1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074)
摘要:利用蒙特卡罗模拟方法对GaAs衬底上MBE法自组织生长InAs量子点的过程进行了研究,完成了量子点二维到三维生长完整过程的模拟.充分考虑应力应变的影响因素,首次使用指数函数形式的应力应变模型,使模拟结果更加可靠.通过改变衬底温度, 生长停顿时间,得到了不同条件下量子点生长的计算机模拟图形并对结果进行了讨论.结果发现,适中的温度和较充分的迁移时间有助于生长出高质量的量子点.
关键词:分子束外延; 量子点自组织生长; 蒙特卡罗方法;
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