自旋转移矩纳米振荡器原理、结构与研究进展

常鸿¹，史欣玉²，董健方³，钟智勇³

1. 核工业西南物理研究院2. 中国电子科技集团公司第13研究所3. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

摘 要：自旋转移矩纳米振荡器(STNO)主要依据磁电阻效应(MR)和自旋转移矩效应(STT)两种效应来工作的。自旋转移矩效应中自旋电子能够有效地控制磁性薄膜磁化矢量变化,从而STNO可以被直流偏压电流和外加直流磁场调制。由于其高集成度、高可调谐性,而且可以和CMOS工艺完全兼容,使得STNO成为了未来射频收发器的理想器件。首先简单介绍STNO的基本结构和原理,然后重点阐述近年来针对输出功率和带宽等问题而提出的最新解决办法,最后对STNO的发展前景进行了展望。

关键词：自旋转移矩效应;磁电阻效应;纳米振荡器;性能;应用;