衬底温度对脉冲激光沉积多晶锗薄膜的影响

来源期刊：材料科学与工程学报2019年第6期

论文作者：李俊丽 周建 刘桂珍

文章页码：871 - 1841

关键词：脉冲激光沉积;多晶锗;退火处理;

摘    要：以p型单晶硅为衬底基板,在不同衬底温度下,采用脉冲激光沉积法结合退火处理,制备了多晶锗薄膜。利用包括拉曼光谱仪和椭圆偏振仪等各种测试方法,对薄膜的形貌和微观结构进行了分析表征。结果表明,不同衬底温度下制备的锗薄膜的形貌结构有明显不同。当硅衬底的温度为300℃时,锗薄膜已经完全晶化,是结晶质量良好的多晶锗薄膜,拉曼峰谱位于297cm^-1处,晶体取向为（111）,（220）,（311）。而衬底温度低于100℃时,获得的是非晶锗薄膜,只有经过450℃以上的退火处理后,才转化为多晶锗薄膜,拉曼光谱位于298.2cm^-1处,半高宽9.5cm^-1,是具有（111）择优取向的多晶锗膜。