二次HDDR工艺制备的高矫顽力各向异性钕铁硼磁粉

来源期刊：磁性材料及器件2016年第5期

论文作者：刘冬 李野 高俊彦 王倩 刘荣明 滕阳民

文章页码：32 - 85

关键词：钕铁硼磁粉;t-HDDR工艺;各向异性;磁性能;

摘    要：采用二次HDDR工艺（简称"t-HDDR工艺"）制备了高矫顽力各向异性钕铁硼磁粉。研究了化学成分和工艺参数对磁粉性能的影响。结果表明:t-HDDR工艺对于化学成分为RxTbalByMz的磁粉均适用;稀土元素R（Pr、Nd、Dy等）与低熔点添加元素M（Ga、Cu、Al等）含量越多,t-HDDR工艺对磁粉矫顽力的提升幅度越大;在t-HDDR工艺的首次HDDR工艺中,实施"完全脱氢"工序,可以最大限度地提升磁粉的矫顽力;相对于常规的单次HDDR工艺,t-HDDR工艺可使RxTbalByMz系各向异性钕铁硼磁粉的矫顽力Hci提高160³20k A/m（2⁴k Oe）。t-HDDR工艺操作简便、原材料成本低,所生产的磁粉不仅矫顽力高,而且剩磁与最大磁能积也相对较高。