氮化镓薄膜及其研究进展
来源期刊：材料研究学报2000年增刊第1期
论文作者：朱鹤孙 曹传宝
关键词：氮化镓; 半导体; 结构; 薄膜;
摘 要：介绍了GaN薄膜材料的主要制备方法、GaN薄膜结晶学、GaN薄膜材料的性质和应用领域,总结了GaN材料研究中存在的主要问题.
朱鹤孙1，曹传宝1
(1.北京理工大学)
摘要:介绍了GaN薄膜材料的主要制备方法、GaN薄膜结晶学、GaN薄膜材料的性质和应用领域,总结了GaN材料研究中存在的主要问题.
关键词:氮化镓; 半导体; 结构; 薄膜;
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