电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第1期
论文作者：金波 王曦 李炜 郑志宏
关键词：CeO2; 高取向; 退火; 电子束蒸发;
摘 要：为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜.
金波1，王曦1，李炜1，郑志宏1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050)
摘要:为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜.
关键词:CeO2; 高取向; 退火; 电子束蒸发;
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