SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究

朱彦敏^1,2，宋月鹏^1,2，康杰^1,2，高东升²，毛志泉²，KIM Hyoungseop³

1. 山东农业大学机械与电子工程学院2. 山东省园艺机械与装备重点实验室3. 浦项工科大学材料科学与工程学院

摘 要：通过腐蚀法制备SiC量子点荧光标记材料,以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂,通过超声空化破碎分散及超重力场层析剪裁,得到SiC量子点水相溶液,研究了制备工艺参数对光学特性的影响,结果表明,降酸清洗次数、超声时长对量子点光致发光峰值(荧光强度)的影响最为显著,而腐蚀剂成分及配比、超重力系数在一定程度上影响了其光致发光强度及发射光波长,同时腐蚀剂成分中氢氟酸含量的增加使得光致发光峰值位置发生红移,而超声时长及超重力系数的增加使得SiC量子点光致发光峰值位置发生蓝移。并对SiC颗粒腐蚀过程相关机制也进行了探讨。

关键词：SiC量子点;腐蚀法;工艺参数;光谱特征;