Pd插层NbSe₂化合物的制备、晶体结构和电学性质研究（英文）

黄冲^1,2，赵伟¹，王东¹，卜克军^1,2，王思顺¹，黄富强^1,3

1. 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室2. 中国科学院大学3. 北京大学化学与分子工程学院北京分子科学国家实验室稀土材料化学及应用国家重点实验室

摘 要：通过固相反应法合成一系列插层化合物Pd_xNbSe₂ （x=0～0.17）。它们与2H-NbSe₂相同,属于六方晶格,空间群为P6₃/mmc。Pd占据NbSe₂层间的八面体空位。随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明,Pd_0.17NbSe₂的晶格常数为a=b=0.34611（2）nm,c=1.27004（11）nm。每个Pd原子与六个Se原子键合形成[PdSe₆]八面体来连接相邻的Nb-Se层,使晶体结构变得更加稳定,从而提高化合物的热稳定性。电学测试表明,随着Pd含量的增加, Pd_xNbSe₂的剩余电阻比减小。此外,超导转变温度也随着Pd含量的增加而下降,说明Pd的引入不利于NbSe₂的超导态。

关键词：Pd_xNbSe₂;过渡金属硫族化合物;晶体结构;超导;