Zintl相热电材料纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2的低温电输运性能
来源期刊：材料科学与工程学报2010年第2期
论文作者：辛红星 秦晓英 张宽心 宋春军 张建 朱晓光
文章页码：244 - 490
关键词：机械合金化;纳米晶;替代;电阻率;变程跳跃电导;
摘 要：采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2（X=Mg、Cr、Cu、Ti）,进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。（Mg0.97X0.03）3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm（Mg3Sb2）下降到137Ωcm（（Mg0.97Cr0.03）3Sb2）、121Ωcm（（Mg0.97Ti0.03）3Sb2）、109Ωcm（（Mg0.97Cu0.03）3Sb2）。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。
辛红星，秦晓英，张宽心，宋春军，张建，朱晓光
中科院固体物理研究所材料物理重点实验室
摘 要：采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2（X=Mg、Cr、Cu、Ti）,进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。（Mg0.97X0.03）3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm（Mg3Sb2）下降到137Ωcm（（Mg0.97Cr0.03）3Sb2）、121Ωcm（（Mg0.97Ti0.03）3Sb2）、109Ωcm（（Mg0.97Cu0.03）3Sb2）。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。
关键词：机械合金化;纳米晶;替代;电阻率;变程跳跃电导;
