Mg₂Si/Si异质结的制备及I-V特性研究

王善兰¹，廖杨芳^1,2，吴宏仙¹，梁枫¹，杨云良¹，肖清泉¹，谢泉¹

1. 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所2. 贵州师范大学物理与电子科学学院

摘 要：采用磁控溅射和热处理系统制备Mg₂Si/Si异质结。首先在n-Si（111）衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg₂Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg₂Si/Si异质结的晶体结构、表面形貌、Mg₂Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型。结果表明,成功制备了Mg₂Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度（-9.30×1012 cm-3）、导通电压（0.31V）、导通电流（0.6mA）、工作电压（0.53V）等,测得该异质结为n-n型。

关键词：磁控溅射;Mg2Si/Si异质结;I-V特性;