简介概要

电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析

来源期刊：功能材料2006年第9期

论文作者：刘亦安田德恒庄惠照何建廷薛成山吴玉新

关键词：氮化镓薄膜; Si衬底; 电泳沉积; 六方纤锌矿结构;

摘要：采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析.结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.

详情信息展示

刘亦安¹，田德恒¹，庄惠照¹，何建廷¹，薛成山¹，吴玉新¹

(1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014)

摘要:采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析.结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.

关键词:氮化镓薄膜; Si衬底; 电泳沉积; 六方纤锌矿结构;

【全文内容正在添加中】