CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定
来源期刊：功能材料2006年第1期
论文作者：李强 介万奇 查钢强 刘永勤
关键词：CdZnTe; 机械抛光; X射线摇摆曲线; 表面损伤层;
摘 要：研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺.采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm.采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度.通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm.
李强1，介万奇1，查钢强1，刘永勤2
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;
2.西凯光电子材料技术发展有限责任公司,陕西,西安,710072)
摘要:研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺.采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm.采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度.通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm.
关键词:CdZnTe; 机械抛光; X射线摇摆曲线; 表面损伤层;
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