辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究
来源期刊:冶金分析2004年增刊第1期
论文作者:张林春 吴则嘉 张毅 杨晟远 刘晓晗 陈英颖
关键词:辉光放电; 光谱法; 掺杂; 纳米硅薄膜;
摘 要:介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜:通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.
张林春1,吴则嘉1,张毅2,杨晟远1,刘晓晗1,陈英颖2
(1.上海维安新材料研究中心有限公司,上海,200082;
2.宝山钢铁股份有限公司技术中心,上海,201900)
摘要:介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜:通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.
关键词:辉光放电; 光谱法; 掺杂; 纳米硅薄膜;
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