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SiO2包覆片状羰基铁粉的制备及电磁性能

来源期刊:磁性材料及器件2016年第1期

论文作者:伍倪燕 程艳奎 刘存平 刘勇 雷会利

文章页码:22 - 26

关键词:羰基铁粉;二氧化硅包覆;微波吸收;

摘    要:采用机械球磨法使羰基铁粉片状化,以正硅酸乙脂(TEOS)为硅源,通过St?ber法制备二氧化硅(Si O2)包覆的片状羰基铁粉。通过扫描电子显微镜、能谱、红外光谱、X射线衍射等手段研究了Si O2包覆的羰基铁粉的结构特性,并讨论了Si O2包覆对其热性能、电磁和微波吸收性能的影响。结果表明,Si O2包覆羰基铁粉的抗氧化性能显著提高。与未包覆羰基铁相比,包覆后羰基铁粉的介电常数急剧下降,在16GHz波段内具有较好的吸波效果。当厚度为3.4 mm时,在2 GHz处的最小反射损耗可以达到-25.6 d B。

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SiO2包覆片状羰基铁粉的制备及电磁性能

伍倪燕1,程艳奎1,刘存平1,刘勇1,雷会利2

1. 宜宾职业技术学院现代制造工程系2. 西北工业大学材料学院

摘 要:采用机械球磨法使羰基铁粉片状化,以正硅酸乙脂(TEOS)为硅源,通过St?ber法制备二氧化硅(Si O2)包覆的片状羰基铁粉。通过扫描电子显微镜、能谱、红外光谱、X射线衍射等手段研究了Si O2包覆的羰基铁粉的结构特性,并讨论了Si O2包覆对其热性能、电磁和微波吸收性能的影响。结果表明,Si O2包覆羰基铁粉的抗氧化性能显著提高。与未包覆羰基铁相比,包覆后羰基铁粉的介电常数急剧下降,在16GHz波段内具有较好的吸波效果。当厚度为3.4 mm时,在2 GHz处的最小反射损耗可以达到-25.6 d B。

关键词:羰基铁粉;二氧化硅包覆;微波吸收;

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