CuS纳米线阵列的制备
来源期刊：功能材料2007年第4期
论文作者：柯川 江奇 赵勇 杨高强 易锦 任贤明
关键词：多孔氧化铝模板; CuS纳米线阵列; 硫化;
摘 要：将多孔阳极氧化铝模板(AAO)的电化学沉积技术与真空硫化技术相结合,在制备Cu纳米线的基础之上,制备得到了CuS纳米线阵列.采用扫描电子显微镜电镜和X射线衍射仪对二次氧化的AAO模板和所得Cu与CuS纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明所得CuS纳米线不仅具有良好的有序阵列,而且具有多晶结构.在硫化过程中,随着硫化温度的升高,CuS结晶程度增大,在500～550℃时,达到最大的结晶程度.
柯川1，江奇1，赵勇1，杨高强1，易锦1，任贤明1
(1.西南交通大学,材料科学与工程学院,超导研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031)
摘要:将多孔阳极氧化铝模板(AAO)的电化学沉积技术与真空硫化技术相结合,在制备Cu纳米线的基础之上,制备得到了CuS纳米线阵列.采用扫描电子显微镜电镜和X射线衍射仪对二次氧化的AAO模板和所得Cu与CuS纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明所得CuS纳米线不仅具有良好的有序阵列,而且具有多晶结构.在硫化过程中,随着硫化温度的升高,CuS结晶程度增大,在500～550℃时,达到最大的结晶程度.
关键词:多孔氧化铝模板; CuS纳米线阵列; 硫化;
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