烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年增刊第1期
论文作者：孙清池 李红元 何杰 刘培祥
关键词：压电陶瓷; 四元系; 准同型相界; 微观结构;
摘 要：选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方,采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料.研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响,研究结果表明:在1180℃烧结时,晶粒生长很好,晶界处结合致密,压电性能也最好:d33=475pC/N,ε33T/ε0=3203, Qm=82,Kp=0.59,tanδ=1.8%.
孙清池1，李红元1，何杰1，刘培祥1
(1.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072)
摘要:选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方,采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料.研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响,研究结果表明:在1180℃烧结时,晶粒生长很好,晶界处结合致密,压电性能也最好:d33=475pC/N,ε33T/ε0=3203, Qm=82,Kp=0.59,tanδ=1.8%.
关键词:压电陶瓷; 四元系; 准同型相界; 微观结构;
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