Zn1-xMnxS稀磁半导体的合成与光学性能
来源期刊:材料工程2017年第7期
论文作者:武美荣 魏智强 武晓娟 杨华 姜金龙
文章页码:54 - 59
关键词:稀磁半导体;Zn1-xMnxS;水热法;光学性能;
摘 要:通过水热法制备不同掺杂浓度的Zn1-xMnxS(x=0.00,0.02,0.05,0.07)稀磁半导体材料,研究Mn2+掺杂浓度对ZnS纳米棒微观结构和光学性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线能量色散分析谱仪(XEDS)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)对样品的晶体结构、形貌和光学性能进行表征。结果表明:制备的所有样品均具有结晶良好的纤锌矿结构,没有杂峰出现,生成纯相Zn1-xMnxS纳米晶。样品形貌为纳米棒状结构,分散性良好。掺杂的Mn元素进入到ZnS纳米晶中,Mn2+替代了Zn2+,而且随着Mn掺杂量的增加晶格常数减小。同时UV-vis光谱发现样品的光学带隙增大,发生了蓝移现象。
武美荣1,2,魏智强1,2,武晓娟1,2,杨华2,姜金龙2
1. 兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室2. 兰州理工大学理学院
摘 要:通过水热法制备不同掺杂浓度的Zn1-xMnxS(x=0.00,0.02,0.05,0.07)稀磁半导体材料,研究Mn2+掺杂浓度对ZnS纳米棒微观结构和光学性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线能量色散分析谱仪(XEDS)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)对样品的晶体结构、形貌和光学性能进行表征。结果表明:制备的所有样品均具有结晶良好的纤锌矿结构,没有杂峰出现,生成纯相Zn1-xMnxS纳米晶。样品形貌为纳米棒状结构,分散性良好。掺杂的Mn元素进入到ZnS纳米晶中,Mn2+替代了Zn2+,而且随着Mn掺杂量的增加晶格常数减小。同时UV-vis光谱发现样品的光学带隙增大,发生了蓝移现象。
关键词:稀磁半导体;Zn1-xMnxS;水热法;光学性能;