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HgI2同质外延薄膜的气相生长和探测器性能

来源期刊:功能材料与器件学报2012年第5期

论文作者:许岗 谷智 魏淑敏

文章页码:426 - 430

关键词:碘化汞;多晶薄膜;同质外延;定向生长;探测器;

摘    要:为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以241Am为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。

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HgI2同质外延薄膜的气相生长和探测器性能

许岗1,谷智2,魏淑敏1

1. 西安工业大学材料与化工学院2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室

摘 要:为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以241Am为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。

关键词:碘化汞;多晶薄膜;同质外延;定向生长;探测器;

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