硫分压对光吸收层CuInS2薄膜性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第5期
论文作者：周少雄 刘迎春 卢志超 方玲 李正邦 阎有花
关键词：CuInS2薄膜; 硫化法; 硫分压; 微结构;
摘 要：在不同硫分压r (r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜.用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析.结果表明:随着r增加,薄膜的结晶质量提高,当r＝1/2时,晶粒大小如一,粒度保持在1 μm左右,沿[112]晶向择优生长,载流子浓度为5.6×1016 cm-3,光学带隙在1.53 eV左右.
周少雄1，刘迎春1，卢志超1，方玲1，李正邦1，阎有花1
(1.中国钢研科技集团公司安泰科技股份有限公司,北京,100081)
摘要:在不同硫分压r (r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜.用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析.结果表明:随着r增加,薄膜的结晶质量提高,当r＝1/2时,晶粒大小如一,粒度保持在1 μm左右,沿[112]晶向择优生长,载流子浓度为5.6×1016 cm-3,光学带隙在1.53 eV左右.
关键词:CuInS2薄膜; 硫化法; 硫分压; 微结构;
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