纳米结构HgTe的制备方法综述与展望
来源期刊：材料导报2011年第S2期
论文作者：余卫平 覃爱苗 唐平 蒋坤朋
文章页码：10 - 13
关键词：HgTe;纳米结构;制备;应用;
摘 要：纳米结构HgTe的光学和电学性质较其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料更易于进行量子调控,其量子点有望作为近红外荧光探针应用于生物细胞和组织成像研究领域。简要综述了HgTe的结构与性能、国内外制备纳米结构HgTe的方法（物理和化学方法）,并展望了其应用潜力。
余卫平，覃爱苗，唐平，蒋坤朋
桂林理工大学材料科学与工程学院
摘 要：纳米结构HgTe的光学和电学性质较其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料更易于进行量子调控,其量子点有望作为近红外荧光探针应用于生物细胞和组织成像研究领域。简要综述了HgTe的结构与性能、国内外制备纳米结构HgTe的方法（物理和化学方法）,并展望了其应用潜力。
关键词：HgTe;纳米结构;制备;应用;
