2.5GDFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：彭晔 朱洪亮 李秉臣
关键词：能带工程; 欧姆接触; 串联电阻;
摘 要：对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4.
彭晔1，朱洪亮1，李秉臣1
(1.中国科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心,北京100083)
摘要:对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4.
关键词:能带工程; 欧姆接触; 串联电阻;
【全文内容正在添加中】
