双温区生长CdSe单晶及其红外表征

李佳伟¹，朱世富¹，钟雨航¹，任锐¹，何知宇¹，王瑞林¹，赵北君¹，叶林森¹，温才¹

(1.四川大学,材料科学系,四川,成都,610064)

摘要:硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.

关键词:硒化镉; 晶体生长; 气相垂直提拉; 电阻率; 红外表征;

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