基于微孔SiO2栅介质的透明氧化物薄膜晶体管
来源期刊：材料导报2013年第6期
论文作者：颜钟惠 王瑶 吴国栋 轩瑞杰 李想
文章页码：33 - 36
关键词：微孔SiO2;双电层效应;透明氧化物;薄膜晶体管;
摘 要：采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应,这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低,开关电流比大,透光性高,稳定性强等良好性能。
颜钟惠，王瑶，吴国栋，轩瑞杰，李想
湖南大学微纳光电子器件及应用教育部重点实验室
摘 要：采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应,这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低,开关电流比大,透光性高,稳定性强等良好性能。
关键词：微孔SiO2;双电层效应;透明氧化物;薄膜晶体管;
