Co掺杂非晶C薄膜的低温磁输运特性及磁性能研究(英文)

来源期刊：稀有金属材料与工程2012年第11期

论文作者：唐瑞鹤 刘伟 张政军 于荣海 刘晓芳 杨白 水口将辉 高梨弘毅

文章页码：1887 - 1890

关键词：Co掺杂非晶C薄膜;磁控共溅射;磁输运;磁性能;

摘    要：采用磁控共溅射方法在n型Si（100）基片上制备了一系列具有不同Co含量（x,at%）的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温。研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能。通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻（MR）。温度为2K、磁场为90×79.6kA.m-1时,Co含量为6.4at%的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6%。随着Co含量从6.4at%增加至16.4at%,MR值从27.6%逐渐减小至2.2%。电阻率??随温度T的变化曲线显示了线性的ln?-T-1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制。