Co-W磁性薄膜应变对其有效磁晶各向异性能的影响
来源期刊：东北大学学报(自然科学版)2012年第1期
论文作者：秦高梧 肖娜 李松 任玉平
文章页码：77 - 165
关键词：应变;磁记录介质;磁晶各向异性能;取向附生;Co-W;
摘 要：利用磁控溅射在250℃的MgO（220）单晶基片上先后沉积Cr（100 nm）下底层和不同厚度（980 nm）的Co-11%W（原子分数）磁性层,二者取向附生生长关系为Cr（112）[111]∥Co-W（1010）[1210]和Cr（112）[110]∥Co-W（1010）[0001].随着膜厚的增加,Co-W在薄膜面内的压应变（ε<0）由-0.388 4%减小到-0.271 1%,Co-W在薄膜法线方向拉应变（ε>0）从0.781 3%减小到0.544 5%,相应地其有效磁晶各向异性能一级常数Ke1ff由3.82×106减小到2.58×106erg/cc.该结果表明通过设计磁性层和下底层之间的应变状态,可以达到调节磁记录介质有效磁晶各向异性能的作用.
秦高梧1，肖娜2，李松1，任玉平1
1. 东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室2. 东北大学材料电磁过程研究教育部重点实验室
摘 要：利用磁控溅射在250℃的MgO（220）单晶基片上先后沉积Cr（100 nm）下底层和不同厚度（980 nm）的Co-11%W（原子分数）磁性层,二者取向附生生长关系为Cr（112）[111]∥Co-W（1010）[1210]和Cr（112）[110]∥Co-W（1010）[0001].随着膜厚的增加,Co-W在薄膜面内的压应变（ε<0）由-0.388 4%减小到-0.271 1%,Co-W在薄膜法线方向拉应变（ε>0）从0.781 3%减小到0.544 5%,相应地其有效磁晶各向异性能一级常数Ke1ff由3.82×106减小到2.58×106erg/cc.该结果表明通过设计磁性层和下底层之间的应变状态,可以达到调节磁记录介质有效磁晶各向异性能的作用.
关键词：应变;磁记录介质;磁晶各向异性能;取向附生;Co-W;
