石墨烯基电子学中的平面异质结研究进展（英文）

刘俊江^1,2，李锐杰^2,3，李杭^2,4，李贻非²，易俊何²，王海成³，赵晓冲⁴，刘培植¹，郭俊杰¹，刘磊²

1. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室2. 北京大学工学院材料科学与工程系3. 北京科技大学国家材料服役安全科学中心4. 中国工程物理研究院材料研究所

摘 要：二维平面晶体,由于能带结构的多样性和与半导体平面工艺兼容的特点,被认为在电子学中是延续摩尔定律的候选材料之一;同时它具备易转移、光学透明、能带可调等特点,在柔性电子学和光电子学方面展示出巨大的潜在应用。将电路所需的具有不同导电性能的二维材料在平面内实现空间上的可控集成,是实现单原子层二维电子学的首要问题。综述了最近在石墨烯基电子学中平面异质结的研究进展,包括石墨烯-绝缘体和石墨烯-半导体异质结,集中在可控制备、对界面结构的原子尺度研究、以及逻辑功能原型器件研究。最后简述当前该领域面临的挑战和研究前景。

关键词：石墨烯;面内异质结;界面结构;场效应晶体管;逻辑器件;