自旋1/2铁电膜表面和平均磁化强度的理论计算

来源期刊：东北大学学报(自然科学版)2005年第2期

论文作者：田丽珍 杜安

文章页码：198 - 200

关键词：铁电膜;自旋;BethePeierls近似;平均场近似;磁化强度;转变温度;

摘    要：利用在层内采用Bethe Peierls近似、层间采用平均场近似的方法,计算了6个原子层和20个原子层构成的自旋1/2铁电膜的磁化强度·发现在不同的表面耦合强度下,薄膜的表面磁化和平均磁化有明显的不同,表面耦合强度小,表面磁化弱于整体磁化,否则表面磁化强于整体磁化,但薄膜的表面和整体具有相同的转变温度·对于较厚的薄膜,系统的整体磁化受表面耦合强度影响小,但在转变温度附近,强的表面耦合强度会带动薄膜的整体磁化·横向场抑制薄膜的自发磁化·