PIN型快速恢复二极管的研究与应用

来源期刊：材料导报2012年第19期

论文作者：韦文生 戴瑜兴 张正江 李晶

文章页码：17 - 20

关键词：快速恢复二极管;发射率控制;少子寿命控制;硅;碳化硅;

摘    要：剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用。