液硅渗透法制备Si-B-C改性C/C-SiC复合材料
来源期刊：复合材料学报2012年第6期
论文作者：刘建功 殷小玮 成来飞 张立同 王琴
文章页码：78 - 82
关键词：复合材料;C/C-SiC;B12(C,Si,B)3;浆料浸渗;液硅渗透;
摘 要：为了降低液硅渗透法制备C/C-SiC复合材料中残留Si的含量,采用浆料浸渗结合液硅渗透工艺制备B12（C,Si,B）3改性C/C-SiC复合材料。通过分析不同比例B4C-Si体系在不同温度的反应产物,确定了B12（C,Si,B）3的生成条件。结果表明:B4C和Si在1300℃开始反应,生成少量B12（C,Si,B）3和SiC,且B12（C,Si,B）3的生成量随反应温度的升高而增加;当B4C和Si的摩尔比为3∶1、反应温度为1500℃时,产物为B12（C,Si,B）3和SiC;液硅渗透法制备的C/C-SiC复合材料相组成为非晶态C、β-SiC和B12（C,Si,B）3,未见残留Si。
刘建功1，殷小玮1，成来飞1，张立同1，王琴2
1. 西北工业大学超高温结构复合材料重点实验室2. 中国航天科工集团三十一研究所高超声速冲压发动机技术重点实验室
摘 要：为了降低液硅渗透法制备C/C-SiC复合材料中残留Si的含量,采用浆料浸渗结合液硅渗透工艺制备B12（C,Si,B）3改性C/C-SiC复合材料。通过分析不同比例B4C-Si体系在不同温度的反应产物,确定了B12（C,Si,B）3的生成条件。结果表明:B4C和Si在1300℃开始反应,生成少量B12（C,Si,B）3和SiC,且B12（C,Si,B）3的生成量随反应温度的升高而增加;当B4C和Si的摩尔比为3∶1、反应温度为1500℃时,产物为B12（C,Si,B）3和SiC;液硅渗透法制备的C/C-SiC复合材料相组成为非晶态C、β-SiC和B12（C,Si,B）3,未见残留Si。
关键词：复合材料;C/C-SiC;B12(C,Si,B)3;浆料浸渗;液硅渗透;
