多种杂质对VO2薄膜电阻突变性能的影响
来源期刊：材料导报2010年第S2期
论文作者：马兰 杨绍利 高仕忠
文章页码：270 - 273
关键词：VO2;薄膜;电阻突变性能;杂质;点阵常数;
摘 要：理论上计算了VO2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小。
马兰1,2，杨绍利2,3，高仕忠2,3
1. 攀枝花学院生物与化学工程学院2. 四川省钒钛材料工程研究中心3. 攀枝花学院材料工程学院
摘 要：理论上计算了VO2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小。
关键词：VO2;薄膜;电阻突变性能;杂质;点阵常数;
