简介概要

化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期

论文作者：丁国庆

关键词：布里渊散射; 声子伴线; 异质结构体材料;

摘要：报告了InGaAsP/InP异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射,实验表明,该类材料在温度为20 ～150 K,光入射功率为4.5～6.0mW ,观测到光荧光谱(PLS) 中强度和频移对称的多声子伴线, 并讨论了它们的特性.

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丁国庆¹

(1.武汉电信器件公司,武汉,430074)

摘要:报告了InGaAsP/InP异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射,实验表明,该类材料在温度为20 ～150 K,光入射功率为4.5～6.0mW ,观测到光荧光谱(PLS) 中强度和频移对称的多声子伴线, 并讨论了它们的特性.

关键词:布里渊散射; 声子伴线; 异质结构体材料;

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