ICP-AES法测定金属硅中杂质元素
来源期刊：冶金分析2005年第3期
论文作者：宁燕平 胡金荣 肖军 成勇
关键词：ICP-AES; 金属硅; 杂质元素; 全分析;
摘 要：以HF挥发除去基体后,电感耦合等离子体光谱法(ICP-AES)对金属硅中Fe,Al,Ti,Ca,Cu,As,Pb等23个可能共存的杂质元素同时定量测定,并用差减法计算出基体元素硅的含量,只需一次测定即能实现金属硅样品的全分析.试验了共存元素间的干扰影响情况,优选了元素分析谱线和仪器工作参数,运用同步背景校正法、K系数法来消除共存元素间干扰和试液雾化进样的物理化学因素影响.方法简便快捷、易于操作掌握,测定回收率、精密度、检出限均取得了满意结果.
宁燕平1，胡金荣1，肖军1，成勇1
(1.攀枝花钢铁研究院,四川攀枝花,617000)
摘要:以HF挥发除去基体后,电感耦合等离子体光谱法(ICP-AES)对金属硅中Fe,Al,Ti,Ca,Cu,As,Pb等23个可能共存的杂质元素同时定量测定,并用差减法计算出基体元素硅的含量,只需一次测定即能实现金属硅样品的全分析.试验了共存元素间的干扰影响情况,优选了元素分析谱线和仪器工作参数,运用同步背景校正法、K系数法来消除共存元素间干扰和试液雾化进样的物理化学因素影响.方法简便快捷、易于操作掌握,测定回收率、精密度、检出限均取得了满意结果.
关键词:ICP-AES; 金属硅; 杂质元素; 全分析;
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