碲化铋热电薄膜半导体类型的元素比例调控研究（英文）

刘帅¹，刘飞²，朱小启²，白煜^1,2，马大衍¹，马飞¹，徐可为^1,3

1. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室苏州纳米科学协同创新中心2. 西安交通大学苏州纳米科学与技术学院3. 西安文理学院

摘 要：通过磁控共溅射的方法制备了Bi₂Te₃合金薄膜,并通过423⁶23 K,1 h热处理提高薄膜的结晶程度。随着热处理温度的升高,Te/Bi原子含量比例逐渐减小,这说明在热处理过程中Te元素有一定的挥发,其挥发量随着温度的升高而增加,这使得薄膜的半导体类型由N型转变为P型,同时赛贝克系数也由负值变为正值。另外,热处理导致了晶粒长大,降低了缺陷密度,使得薄膜的电导率和赛贝克系数等热电性能得到提高。

关键词：碲化铋;半导体类型;热电性能;