类金字塔状GaN微米结构的生长及其形貌表征
来源期刊：材料导报2017年第22期
论文作者：赵晨 贾伟 樊腾 仝广运 李天保 翟光美 马淑芳 许并社
文章页码：21 - 25
关键词：类金字塔状GaN微米结构;金属有机化学气相沉积;原位生长SiNx掩模层;三维GaN基LED器件;
摘 要：采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 075℃时,所生长的GaN呈现出类金字塔状微米锥结构;当生长时间由3 min延长至20 min时,微米锥的底面直径由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×103cm-2降低至0.8×103cm-2;压力及Ⅴ/Ⅲ比共同决定该结构顶部的微观形貌（锥状或截顶锥状）。本工作的研究结果为GaN微钠米结构的原位可控生长奠定了一定基础,并有助于三维GaN基LED器件的进一步发展。
赵晨1,2，贾伟1,2，樊腾1,2，仝广运1,2，李天保1,2，翟光美1,2，马淑芳1,2，许并社1,2
1. 太原理工大学新材料工程技术研究中心2. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
摘 要：采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 075℃时,所生长的GaN呈现出类金字塔状微米锥结构;当生长时间由3 min延长至20 min时,微米锥的底面直径由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×103cm-2降低至0.8×103cm-2;压力及Ⅴ/Ⅲ比共同决定该结构顶部的微观形貌（锥状或截顶锥状）。本工作的研究结果为GaN微钠米结构的原位可控生长奠定了一定基础,并有助于三维GaN基LED器件的进一步发展。
关键词：类金字塔状GaN微米结构;金属有机化学气相沉积;原位生长SiNx掩模层;三维GaN基LED器件;
