抑制GaN基LED发光效率衰减的研究进展

来源期刊：材料导报2012年第21期

论文作者：曾梦麟

文章页码：25 - 29

关键词：LED;GaN;发光效率;效率衰减;

摘    要：目前蓝宝石衬底氮化镓基发光二极管取得了显著发展,但在通用照明领域中,GaN基LED仍然需要更高的发光效率和光输出功率。提高发光亮度和抑制大电流注入发光效率衰减是当前GaN基LED领域的研究重点。从GaN基LED外延层内部结构即电子发射层、发光复合区量子阱、电子阻挡层方面介绍了近年来提高LED发光亮度和抑制发光效率衰减的最新进展,分析了电子发射层、发光复合区结构、电子阻挡层对LED性能的影响,并展望了其未来的发展趋势。