ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立

来源期刊：材料导报2015年第14期

论文作者：刘佰清 洪根深 郑若成 刘国柱 敖一程 王印权

文章页码：152 - 155

关键词：ONO反熔丝;TDDB;E Model;激活能;寿命模型;

摘    要：基于1.0μm ONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足"E Model";并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合"E Model"模型中的各个参数,建立了寿命预测模型。同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性。