(Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年增刊第2期
论文作者：刘秋香 蒋艳平 唐新桂 程铁栋 匡淑娟 熊惠芳
关键词：PLT薄膜; 界面特性; 漏电流; 肖特基发射; 空间电荷限制电流;
摘 要：采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故.
刘秋香1，蒋艳平1，唐新桂1，程铁栋1，匡淑娟1，熊惠芳1
(1.广东工业大学,广东,广州,510006)
摘要:采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故.
关键词:PLT薄膜; 界面特性; 漏电流; 肖特基发射; 空间电荷限制电流;
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