Sb掺杂闪锌矿GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究

来源期刊：材料导报2012年第18期

论文作者：宿磊 王旭东 姚曼

文章页码：142 - 147

关键词：第一性原理;Sb掺杂GaAs;电子结构;光学性质;

摘    要：采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAs1-xSbx（x=0,0.25,0.5,0.75,1）的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数。计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶格常数线性增大,并使得体系导带和价带组成发生改变,禁带宽度呈二次多项式变化。随着掺杂浓度的增加,体系静态介电常数线性增大,吸收带边出现了明显的红移现象。分析了掺杂Sb诱发GaAs1-xSbx体系的电子和光学性质改变,为Sb掺杂闪锌矿GaAs在光电子学和微电子学方面的实际应用提供了一定的理论依据。